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SI4501BDY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數量：: 678
說明：: MOSFET 30 Volts 12 Amps 4.5 Watts

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SI4501BDY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI4501BDY-GE3
典型關閉延遲時間：15 ns, 35 ns
上升時間：11 ns, 12 ns
功率耗散：4.5 W
柵極電荷 Qg：16.5 nC, 27.5 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：29 S, 24 S
下降時間：8 ns, 9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0135 Ohms, 0.021 Ohms
漏極連續電流：12 A, - 8 A
閘/源擊穿電壓：20 V, 8 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V, - 8 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4501BDY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4501BDY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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