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SI4501DY-T1

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 SOIC-8 Narrow
數量：
 387  
說明：
 MOSFET 30/8 9/6.2A
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SI4501DY-T1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：35 ns, 110 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：9 ns, 50 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：17 ns, 60 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：18 mOhms, 42 mOhms
漏極連續電流：9 A, 6.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V, +/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V, 8 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4501DY-T1的詳細信息，包括SI4501DY-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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