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SI1563EDH-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOT-363-6
數量:
 279  
說明:
 MOSFET 20V 1.28/1.0
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SI1563EDH-T1-SOT-363-6圖片

SI1563EDH-T1 PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:350 nS, 840 nS
商標名:TrenchFET
工廠包裝數量:3000
上升時間:85 nS, 480 nS
功率耗散:570 mW
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:0.65 nC, 1.2 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :2.6 S, 1.5 S
下降時間:210 nS, 850 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-363-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.28 Ohms at 4.5 V, 0.49 Ohms at - 4.5 V
漏極連續電流:1.28 A, - 1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI1563EDH-T1的詳細信息,包括SI1563EDH-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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