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SI1563EDH-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SC-70-6
數量：: 6876
說明：: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

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SI1563EDH-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型：N 和 P 溝道
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：280 毫歐 @ 1.13A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：1.13A, 880mA
Id 時的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：1nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：570mW
安裝類型：*

以上是SI1563EDH-T1-GE3的詳細信息，包括SI1563EDH-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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