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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:45 ns, 35 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:50 ns, 40 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:80 ns, 35 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.043 Ohms, 0.1 Ohms
漏極連續電流:5.2 A, - 3.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTMD2C02R2SG的詳細信息,包括NTMD2C02R2SG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!