NTD4963N-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: IPAK
數量：: 10040
說明：: MOSFET NFET IPAK 30V 44A 9.6MOHM

一、本商品被瀏覽0次.

NTD4963N-1G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：14 ns
上升時間：20 ns
功率耗散：35.7 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：8.1 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：40 S
下降時間：3 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：13.6 mOhms
漏極連續電流：44 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4963N-1G的詳細信息，包括NTD4963N-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：