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NTD4969N-1G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 IPAK
數量：
 7015  
說明：
 MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH
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NTD4969N-1G-IPAK圖片

NTD4969N-1G PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：1.38 W, 2.56 W, 26.3 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：36 s
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：19 mOhms
漏極連續電流：12.7 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4969N-1G的詳細信息，包括NTD4969N-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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