99精品久久久久久久免费看蜜月/欧美激情做真爱牲交视频/日本不卡不码高清免费观看/三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

IPB025N10N3 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263
數量：
 3308  
說明：
 MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
IPB025N10N3 G-TO-263圖片

IPB025N10N3 G PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GXT SP000469888
典型關閉延遲時間：84 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：58 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：206 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：200 S, 100 S
下降時間：28 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quint Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.5 mOhms
漏極連續(xù)電流：180 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB025N10N3 G的詳細信息，包括IPB025N10N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC