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IPB025N10N3GE818XT

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-7
數(shù)量：: 3978
說(shuō)明：: MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor

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IPB025N10N3GE818XT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：E8187 G IPB025N10N3 IPB025N10N3GE8187ATMA1
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：84 ns
上升時(shí)間：58 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：155 nC
下降時(shí)間：28 ns
封裝形式：PG-TO263-7
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.5 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：180 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

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