CSD17313Q2

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 6-WDFN 裸露焊盤
數量：: 11565
說明：: MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

CSD17313Q2 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：4.2 ns
商標名：NexFET
工廠包裝數量：3000
功率耗散：2.3 W
柵極電荷 Qg：2.1 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：16 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SON-6
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：26 mOhms
漏極連續電流：5 A
閘/源擊穿電壓：10 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD17313Q2的詳細信息，包括CSD17313Q2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產品：

軟開關 PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關變換器、穩壓器與控制器最新產品：