CSD17313Q2Q1

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 6-WDFN 裸露焊盤
數量：: 7125
說明：: MOSFET Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET

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CSD17313Q2Q1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：4.2 ns
商標名：NexFET
上升時間：3.9 ns
功率耗散：2.3 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：2.1 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：16 S
下降時間：1.3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SON-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：32 mOhms
漏極連續電流：5 A
閘/源擊穿電壓：10 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Texas Instruments

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