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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:11 ns
商標名:NexFET
工廠包裝數量:2500
上升時間:25 ns
功率耗散:3.1 W
柵極電荷 Qg:6.7 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :60 S
下降時間:10.8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SON-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):5.4 mOhms
漏極連續電流:113 A
閘/源擊穿電壓:- 12 V, + 16 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments
以上是CSD16408Q5C的詳細信息,包括CSD16408Q5C廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!