CSD16556Q5B

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-PowerTDFN
數(shù)量：: 882
說明：: MOSFET 25V NexFET N Ch Pwr MosFET

一、本商品被瀏覽0次.

CSD16556Q5B PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：25 ns
商標(biāo)名：NexFET
上升時間：34 ns
功率耗散：3.2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：36 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：2 S
下降時間：13 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：VSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.2 mOhms
漏極連續(xù)電流：263 A
閘/源擊穿電壓：10 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Texas Instruments

以上是CSD16556Q5B的詳細(xì)信息，包括CSD16556Q5B廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產(chǎn)品：

軟開關(guān) PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數(shù)校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器最新產(chǎn)品：