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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:DO-219AB(SMF)
封裝/外殼:DO-219AB
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容:8.8pF @ 4V,1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:5 μA @ 600 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):1.3 μs
速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A
電流 - 平均整流 (Io):1.5A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技術(shù):雪崩
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Automotive, AEC-Q101
系列:卷帶(TR)
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division
以上是AS1FJHM3/H的詳細(xì)信息,包括AS1FJHM3/H廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!