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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:DO-219AB(SMF)
封裝/外殼:DO-219AB
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:8.8pF @ 4V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:5 μA @ 1000 V
反向恢復時間 (trr):1.3 μs
速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A
電流 - 平均整流 (Io):1.5A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V
技術:雪崩
產品狀態:在售
包裝:Automotive, AEC-Q101
系列:卷帶(TR)
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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