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1N6622US

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數量:
 3453  
說明:
 DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
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1N6622US PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:A-MELF
封裝/外殼:SQ-MELF,A
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:10pF @ 10V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:500 nA @ 660 V
反向恢復時間 (trr):30 ns
速度:快速恢復 = 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.4 V @ 1.2 A
電流 - 平均整流 (Io):1.2A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):660 V
技術:標準
產品狀態:在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Microchip Technology

以上是1N6622US的詳細信息,包括1N6622US廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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