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1N6663US

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數(shù)量:
 3318  
說(shuō)明:
 DIODE GEN PURP 600V 500MA D-5A
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1N6663US-圖片

1N6663US PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:D-5A
封裝/外殼:SQ-MELF,A
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容:-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:50 nA @ 600 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-
速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io)
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
電流 - 平均整流 (Io):500mA
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Microchip Technology

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