| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSZ050N03LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 40A 5mOhms | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSZ050N03MS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 5348 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSZ058N03LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 1828 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 40A 5.8mOhms | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSZ058N03MS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 3276 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSZ060NE2LS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 1880 | MOSFET N-KAN | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：26 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：40 A，... | ||||||
|
BSZ065N03LS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 6149 | MOSFET N-KAN | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：40 A，... | ||||||
|
|
BSZ067N06LS3 G | Infineon Technologies | TSDSON | 766 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
BSZ076N06NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4625 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續... | ||||||
|
|
BSZ086P03NS3 G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 6490 | MOSFET P-KANAL | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，... | ||||||
|
|
BSZ086P03NS3E G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET P-KANAL | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，... | ||||||
|
|
BSZ088N03LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 260 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 40A 8.8mOhms | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSZ088N03MS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
BSZ0901NS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 7415 | MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：40 A，... | ||||||
|
|
BSZ0901NSI | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 5205 | MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：40 A，... | ||||||
|
|
BSZ0902NS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4040 | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：40 A，... | ||||||
|
|
BSZ0902NSI | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 4282 | MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：40 A，... | ||||||
|
|
BSZ0904NSI | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 1651 | MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：40 A，... | ||||||
|
BSZ0907NDXTMA1 | Infineon Technologies | PG-WISON - 8 | 5000 | MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：25 A, 30... | ||||||
|
|
BSZ0909NS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4890 | MOSFET N-Channel MOSFET 34V 36A | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：34 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：36 A，... | ||||||
|
BSZ097N04LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 4948 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 40A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
720/1299 首頁 上頁 [715] [716] [717] [718] [719] [720] [721] [722] [723] [724] [725] 下頁 尾頁
