三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BSZ086P03NS3 G

BSZ086P03NS3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TSDSON-8
數(shù)量：: 8452
說明：: MOSFET P-KANAL

一、本商品被瀏覽0次.

BSZ086P03NS3 G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GXT SP000473024
典型關閉延遲時間：35 ns
工廠包裝數(shù)量：5000
上升時間：46 ns
功率耗散：69 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0086 Ohms
漏極連續(xù)電流：13.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSZ086P03NS3 G的詳細信息，包括BSZ086P03NS3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：