| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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BSC080N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 2008 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC080P03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 7046 | MOSFET OPTIMOS P-CH -30V -30A 8mOhm | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 ... | ||||||
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BSC082N10LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 100A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSC084P03NS3 G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 4990 | MOSFET P-KANAL | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：- 2.5 V... | ||||||
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BSC084P03NS3E G | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極連續電流：- 7... | ||||||
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BSC084P03NS3EGXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSC085N025SG | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC0901NS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET N-CH 30V 100A | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲... | ||||||
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BSC0901NSIXT | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：100 ... | ||||||
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BSC0902NS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET N-CH 30V 100A | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲... | ||||||
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BSC0902NSI | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 60 | MOSFET N-CH 30V 100A | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲... | ||||||
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BSC0902NSIXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSC0904NSI | Infineon Technologies | TDSON-8 | 9930 | MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：78 A，... | ||||||
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BSC0904NSIXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSC0906NS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4703 | MOSFET N-Channel MOSFET 30V 36A | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：63 A，... | ||||||
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BSC0908NS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 4783 | MOSFET N-CH 34V 49A | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：34 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：49 A，電阻汲極... | ||||||
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BSC0908NSXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSC0909NS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 4955 | MOSFET N-CH 34V 44A | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：34 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：44 A，電阻汲極... | ||||||
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BSC090N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 4479 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 48A 9mOhms | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC090N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 8216 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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