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BSC084P03NS3E G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TDSON-8
數量:
 4005  
說明:
 MOSFET P-Channel -30V MOSFET
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BSC084P03NS3E G-TDSON-8圖片

BSC084P03NS3E G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3EGXT SP000473012
典型關閉延遲時間:33.3 nS
上升時間:133.5 nS
功率耗散:69 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:43.4 nC
下降時間:8.1 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:TDSON-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):8.4 mOhms at - 10 V
漏極連續電流:- 78.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是BSC084P03NS3E G的詳細信息,包括BSC084P03NS3E G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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