| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIR870DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：60 A，電... | ||||||
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SIR872DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 18mOhm@10V 60A N-Ch | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
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SIR874DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 9.4mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，漏極連續電流：20 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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SIR876ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 13,156 | MOSFET 100V 10.8mOhm@10V 40A N-Ch MV T-FET | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIR876DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 40A N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續電流：40 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.... | ||||||
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SIR878ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 14mOhm@10V 40A N-Ch MV T-FET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIR878DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100 Volts 40 Amps 44.5 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIR880ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 6.3mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，漏極連續電流：60 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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SIR880DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 5.9mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：60 A，電阻... | ||||||
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SIR882ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 38 | MOSFET 100V 8.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIR882DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 517 | MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIR888DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 40A 48W 3.25mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SIR890DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 50A 50W 2.9mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR892DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 50A 50W 3.2mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIRA00DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 5,782 | MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.2 V，漏極連續電... | ||||||
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SIRA02DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 250 | MOSFET 30V 2mOhm@10V 50A N-Ch G-IV | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.2 V，漏極連續電... | ||||||
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SIRA04DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2,684 | MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.2 V，漏極連續電... | ||||||
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SIRA06DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2,710 | MOSFET 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.2 V，漏極連續電... | ||||||
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SIRA10DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 10,972 | MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.2 V，漏極連續電... | ||||||
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SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.2 V，漏極連續電... | ||||||
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