| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI5499DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 8.0V 6.0A 6.2W 36mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SI5504BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | 18,077 | MOSFET 30V 4.0/3.7A | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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SI5504DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 3.9/2.8A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI5504DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 30V 3.9/2.8A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI5509DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET N-AND P-CH 20V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SI5511DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 30V 4.0/3.7A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SI5513CDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4.0/3.7A 3.1W 55/150mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4A/3.7A N/P-CH COMPLIMENTARY MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：4... | ||||||
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SI5513DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 4.2/2.9A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SI5513DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4.2/2.9A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SI5515CDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 36/100mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8... | ||||||
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SI5515CDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4A / 4A N & P-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：4 ... | ||||||
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SI5515DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET COMPLEMENTARY 20-V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8... | ||||||
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SI5517DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET N-AND P-CH 20V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8... | ||||||
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SI5517DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8... | ||||||
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SI5519DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK-8 ChipFET Dual | MOSFET 20V 6.0A 10.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SI5519DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET N/P-Ch ChipFET 20V 36/64mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SI8405DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 12V 4.9A 2.77W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI8405DB-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 12V 4.9A 2.77W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI8406DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（1.5x1） | MOSFET 20V 16A 13W 33mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：16 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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