
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
零件號別名:SI5504BDC-E3
典型關閉延遲時間:10 nS, 10 nS
工廠包裝數量:3000
上升時間:12 nS, 10 nS
功率耗散:3.1 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:4.5 nC, 4.5 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :5 S, 3.5 S
下降時間:5 nS, 5 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:1206-8 ChipFET
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.065 Ohms at 10 V, 0.14 Ohms at - 10 V
漏極連續電流:4 A, - 3.7 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI5504BDC-T1-E3的詳細信息,包括SI5504BDC-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!