| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SIA456DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏... | ||||||
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SIA461DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET -20V -12A 17.9W 33mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：- 1 V，漏極連... | ||||||
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SIA477EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
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SIA483DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 128,458 | MOSFET -30V 21mOhm@10V 12A P-Ch G-III | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，漏極連續(xù)電流：- 12 A，電阻汲... | ||||||
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SIA511DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6 Dual | MOSFET 12V 4.5A 6.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8... | ||||||
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SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET N/P-Ch MOSFET 12V 40/70mohms@4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8... | ||||||
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SIA513DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6 Dual | MOSFET 20V 4.5A 6.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 60/110mohms@4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | 4,407 | MOSFET 12V 4.5A 6.5W 29/61mohm @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8... | ||||||
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：+/- 4.5 A，電阻汲極... | ||||||
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SIA533EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 12V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續(xù)電流：+/- 4.5 A, - ... | ||||||
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SIA810DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA810DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA811ADJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | 2,995 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SIA811DJ-T1-E3 | Vishay | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA811DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA813DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SIA814DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 30V 4.5A 6.5W 61mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SIA850DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | MOSFET 190V 0.95A 7.0W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：190 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏... | ||||||
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SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 雙 | 80,823 | MOSFET 20V 4.5A 7.8W 46mohm @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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