SIA850DJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6 雙
數量：: 8199
說明：: MOSFET 190V 0.95A 7.0W

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SIA850DJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIA850DJ-GE3
典型關閉延遲時間：25 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：15 ns
功率耗散：7 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：2 S
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.5 Ohms
漏極連續電流：0.95 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：190 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

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