| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI2333DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 50,242 | MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2333DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 3,161 | MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2335DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 12V 4.0A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2335DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 12V 4.0A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2335DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 12V 4.0A 1.25W 51mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2336DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：5.2 A，電阻... | ||||||
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SI2337DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 890 | MOSFET 80V 2.2A 2.5W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2337DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 80V 2.2A 2.5W 270mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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Si2338DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SI2341DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 2.8A 0.9W 72 mohms @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2341DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 2.8A 0.9W 72mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2343CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 5.9A P-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：5.9 A，電... | ||||||
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SI2343DS-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 4.0A 0.75W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2343DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 42,994 | MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2343DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 13 | MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI2351DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 20V 3.0A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI2351DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 20V 3.0A 2.1W 115 mohms @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI2365EDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，漏極連續電流：- 5.9 A，電阻... | ||||||
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Si2366DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 23,131 | MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SI2367DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 11 | MOSFET 20V 3.8A 1.7W 66mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SI2367DS-GE3，... | ||||||
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