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SI2365EDS-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 SOT-23-3（TO-236）
數量：
 7695  
說明：
 MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
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SI2365EDS-T1-GE3-SOT-23-3（TO-236）圖片

SI2365EDS-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：62 us
商標名：TrenchFET
上升時間：32 us
功率耗散：1.7 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：13.8 nC
下降時間：21 us
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23 (TO-236)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：32 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：- 5.9 A
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI2365EDS-T1-GE3的詳細信息，包括SI2365EDS-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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