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點擊查看SI3471DV-T1-GE3參考圖片 SI3471DV-T1-GE3 Vishay/Siliconix TSOP-6 MOSFET 12V 6.8A 2.0W 31mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點擊查看SI3473CDV-T1-E3參考圖片 SI3473CDV-T1-E3 Vishay/Siliconix SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 MOSFET 12V 8.0A 4.2W 22mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點擊查看SI3473CDV-T1-GE3參考圖片 SI3473CDV-T1-GE3 Vishay/Siliconix SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 MOSFET 12V 8.0A 4.2W 22mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點擊查看SI3473DV-T1參考圖片 SI3473DV-T1 Vishay/Siliconix TSOP-6 MOSFET 12V 7.9A 1.1W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點擊查看SI3473DV-T1-E3參考圖片 SI3473DV-T1-E3 Vishay/Siliconix SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 MOSFET 12V 7.9A 2.0W 19mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點擊查看SI3473DV-T1-GE3參考圖片 SI3473DV-T1-GE3 Vishay/Siliconix 6-TSOP MOSFET 12V 7.9A 2.0W 23mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點擊查看SI3475DV-T1-E3參考圖片 SI3475DV-T1-E3 Vishay/Siliconix SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SI3475DV-T1-GE3參考圖片 SI3475DV-T1-GE3 Vishay/Siliconix SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SI3477DV-T1-GE3參考圖片 SI3477DV-T1-GE3 Vishay/Siliconix SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 78 MOSFET -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏極連續電流:- 8 A...
SI3867DV-T1 Vishay/Siliconix TSOP-6 MOSFET 20V 5.1A 1.1W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SI3867DV-T1-E3參考圖片 SI3867DV-T1-E3 Vishay/Siliconix SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 MOSFET 20V 5.1A 2.0W 51mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SI3867DV-T1-GE3參考圖片 SI3867DV-T1-GE3 Vishay/Siliconix 6-TSOP MOSFET 20V 5.1A 2.0W 51mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SI3872DV-T1參考圖片 SI3872DV-T1 Vishay/Siliconix TSOP-6 MOSFET 30/-20V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V, 20 V,漏極連續電流:...
SI3872DV-T1-E3 Vishay/Siliconix TSOP-6 MOSFET 30/-20V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V, 20 V,漏極連續電流:...
點擊查看SI3879DV-T1-E3參考圖片 SI3879DV-T1-E3 Vishay/Siliconix 6-TSOP MOSFET 20V 5.0A 3.3W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SI3879DV-T1-GE3參考圖片 SI3879DV-T1-GE3 Vishay/Siliconix 6-TSOP MOSFET 20V 5.0A 3.3W 70mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
SI3900DV-T1 Vishay/Siliconix TSOP-6 MOSFET 20V 2.4A
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SI3900DV-T1-E3參考圖片 SI3900DV-T1-E3 Vishay/Siliconix 6-TSOP MOSFET 20V 2.4A
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SI3900DV-T1-GE3參考圖片 SI3900DV-T1-GE3 Vishay/Siliconix 6-TSOP MOSFET 20V 2.4A 1.15W 125mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
SI3905DV-T1 Vishay/Siliconix TSOP-6 MOSFET 8V 2.5A
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:8 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連續...

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