三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI3867DV-T1-GE3

SI3867DV-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-TSOP
數(shù)量：: 3816
說(shuō)明：: MOSFET 20V 5.1A 2.0W 51mohm @ 4.5V

一、本商品被瀏覽0次.

SI3867DV-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI3867DV-GE3
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.051 Ohms
漏極連續(xù)電流：3.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3867DV-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI3867DV-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：