| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SP000928282 | Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：BSC010N04LS BSC010N04LSXT，... | ||||||
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SP000938072 | Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Tube，零件號(hào)別名：IPP041N12N3G IPP041N12N3GXK，... | ||||||
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SP000953210 | Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：BSC010N04LSI BSC010N04LSIXT，... | ||||||
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SP000953212 | Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：BSC014N04LSI BSC014N04LSIZT，... | ||||||
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SP000236084 | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Tube，零件號(hào)別名：IPI50R350CP IPI50R350CPXK，... | ||||||
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SP000358141 | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Tube，零件號(hào)別名：IPI60R250CP IPI60R250CPXK，... | ||||||
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SP000396822 | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Tube，零件號(hào)別名：IPI50R140CP IPI50R140CPXK，... | ||||||
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SQD15N06-42L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 15A 37W 42mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD19P06-60L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 20A 46W P-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：- 20 A，電阻汲... | ||||||
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SQD23N06-31L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 23A 100W 31mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD25N06-22L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 25A 62W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：25 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQD25N06-35L-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 60V 25A 50W 35mohm @ 10V | |||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：2000，... | ||||||
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SQD25N15-52-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 150V 25A 136W 5.2mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQD35N05-26L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 55V 35A 50W 20mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD40N04-10A-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 40V 40A 71W 10mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD40N06-14L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 55V 40A 75W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SQD40N06-25L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 60V 30A 75W 22mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD40N10-25-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 100V 40A 136W 25mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：2.5 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SQD45N05-20L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 50V 45A 75W 18mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD45P03-12-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 30V 50A 71W P-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：- 50 A，電阻汲... | ||||||
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