三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SQD40N10-25-GE3

SQD40N10-25-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 2205
說(shuō)明：: MOSFET 100V 40A 136W 25mohm @ 10V

一、本商品被瀏覽0次.

SQD40N10-25-GE3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2000
功率耗散：136 W
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.025 Ohms
漏極連續(xù)電流：40 A
閘/源擊穿電壓：2.5 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD40N10-25-GE3的詳細(xì)信息，包括SQD40N10-25-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：