Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SQ7415AEN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 60V 16A 53W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：- 16 A，電阻汲... | ||||||
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SQ7415EN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 60V 5.7A 1.5W 65mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQ9945AEY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 60V 3.7A 2.4W 80mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQ9945BEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 5.4A 4W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD15N06-42L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 15A 37W 42mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD19P06-60L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 20A 46W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：- 20 A，電阻汲... | ||||||
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SQD23N06-31L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 23A 100W 31mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD25N06-22L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 25A 62W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：25 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQD25N06-35L-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 60V 25A 50W 35mohm @ 10V | |||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數量：2000，... | ||||||
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SQD25N15-52-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 150V 25A 136W 5.2mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQD35N05-26L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 55V 35A 50W 20mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD40N04-10A-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 40V 40A 71W 10mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD40N06-14L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 55V 40A 75W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SQD40N06-25L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 60V 30A 75W 22mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD40N10-25-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 100V 40A 136W 25mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：2.5 V，漏極連續... | ||||||
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SQD45N05-20L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 50V 45A 75W 18mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD45P03-12-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 30V 50A 71W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：- 50 A，電阻汲... | ||||||
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SQD50N03-06P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | 573 | MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 120 V，漏... | ||||||
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SQD50N03-09-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 30V 62A 7.1W 10mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD50N04-09H-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252AA | MOSFET 40V 50A 83W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：50 A，電阻汲極/... | ||||||
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