Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 12A 19.2W 13.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 2,982 | MOSFET 20V 12A 19W 25mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，漏極連續電流：- 12 A，電阻汲... | ||||||
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SIA432DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 3,000 | MOSFET 30V 10.1A 19.2W 20mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連續... | ||||||
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SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 8V 12A 19W 9.4mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流：1... | ||||||
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SIA438EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SIA441DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 46,113 | MOSFET 40V 12A 19W 47mOhms @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SIA443DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 9.0A 15W 45mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA443DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 9.0A 15W 45mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET N-Channel 30 V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：12 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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SIA445EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 2,121 | MOSFET -20V 16.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，漏極連續電流：- 12 A，電阻汲... | ||||||
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SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 101,805 | MOSFET -12V 13.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 12 V，閘/源擊穿電壓：- 0.85 V，... | ||||||
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SIA448DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 12A 19.2W 15mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：12 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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SIA449DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET -30V 20mOhm@10V 12A P-Ch G-III | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，漏極連續電流：- 12 A，電阻汲... | ||||||
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SIA450DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 240V 290mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：240 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIA450DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 240V 290mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：240 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIA456DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏... | ||||||
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SIA461DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET -20V -12A 17.9W 33mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：- 1 V，漏極連... | ||||||
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SIA483DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 128,458 | MOSFET -30V 21mOhm@10V 12A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，漏極連續電流：- 12 A，電阻汲... | ||||||
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SIA511DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6 Dual | MOSFET 12V 4.5A 6.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8... | ||||||
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