Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIA411DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA411DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA413DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 12V 12A 19W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 19,381 | MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIA414DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 8.0V 12A 19W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SIA414DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 27,304 | MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SIA415DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 20V 12A 19W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SIA415DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SIA416DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 8,397 | MOSFET 100V 83mOhm@10V 11.3A N-Ch MV T-FET | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：3 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIA417DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 8.0V 12A 19W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SIA417DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 8.0V 12A 19W 23mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SIA418DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.4 V，漏極連續電... | ||||||
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SIA419DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 20V 12A 19W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連... | ||||||
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SIA419DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連... | ||||||
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SIA421DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 30V 12A 19W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIA421DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 26,267 | MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIA425EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
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SIA426DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SIA427DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 5,868 | MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 8 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流：- 12 A，電阻汲極... | ||||||
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SIA429DJT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET P-Channel 20 V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，漏極連續電流：- 12 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）... | ||||||
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