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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源,也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
點擊查看SI2337DS-T1-GE3參考圖片 SI2337DS-T1-GE3 Vishay/Siliconix SOT-23-3(TO-236) MOSFET 80V 2.2A 2.5W 270mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:80 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看Si2338DS-T1-GE3參考圖片 Si2338DS-T1-GE3 Vishay/Siliconix SOT-23-3(TO-236) MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續電流...
點擊查看SI2341DS-T1-E3參考圖片 SI2341DS-T1-E3 Vishay/Siliconix SOT-23-3(TO-236) MOSFET 30V 2.8A 0.9W 72 mohms @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SI2341DS-T1-GE3參考圖片 SI2341DS-T1-GE3 Vishay/Siliconix SOT-23-3(TO-236) MOSFET 30V 2.8A 0.9W 72mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SI2343CDS-T1-GE3參考圖片 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay/Siliconix SOT-23-3(TO-236) MOSFET 30V 5.9A P-CH MOSFET
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續電流:5.9 A,電...
點擊查看SI2343DS-T1參考圖片 SI2343DS-T1 Vishay/Siliconix SOT-23-3(TO-236) MOSFET 30V 4.0A 0.75W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SI2343DS-T1-E3參考圖片 SI2343DS-T1-E3 Vishay/Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 42,994 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SI2343DS-T1-GE3參考圖片 SI2343DS-T1-GE3 Vishay/Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 13 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SI2351DS-T1-E3參考圖片 SI2351DS-T1-E3 Vishay/Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET 20V 3.0A 2.1W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SI2351DS-T1-GE3參考圖片 SI2351DS-T1-GE3 Vishay/Siliconix SOT-23-3(TO-236) MOSFET 20V 3.0A 2.1W 115 mohms @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SI2365EDS-T1-GE3參考圖片 SI2365EDS-T1-GE3 Vishay/Siliconix SOT-23-3(TO-236) MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 20 V,漏極連續電流:- 5.9 A,電阻...
點擊查看Si2366DS-T1-GE3參考圖片 Si2366DS-T1-GE3 Vishay/Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 23,131 MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續電流...
點擊查看SI2367DS-T1-GE3參考圖片 SI2367DS-T1-GE3 Vishay/Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 11 MOSFET 20V 3.8A 1.7W 66mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,包裝形式:Reel,零件號別名:SI2367DS-GE3,...
點擊查看SI2377EDS-T1-GE3參考圖片 SI2377EDS-T1-GE3 Vishay/Siliconix SOT-23-3(TO-236) MOSFET 20V 4.4A P-CH MOSFET
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 20 V,漏極連續電流:- 4.4 A,電阻汲極/源極 RDS(導通...
點擊查看SI1033X-T1參考圖片 SI1033X-T1 Vishay/Siliconix SC-89-6 MOSFET 20V 0.15A
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 5 V,漏極連...
點擊查看SI1033X-T1-E3參考圖片 SI1033X-T1-E3 Vishay/Siliconix SC-89(SOT-563F) MOSFET 20V 0.15A
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 5 V,漏極連...
點擊查看SI1033X-T1-GE3參考圖片 SI1033X-T1-GE3 Vishay/Siliconix SC-89(SOT-563F) MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 5 V,漏極連...
點擊查看SI1032R-T1參考圖片 SI1032R-T1 Vishay/Siliconix SC-75A-3 MOSFET 20V 0.2A
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 6 V,漏極連...
點擊查看SI1032R-T1-E3參考圖片 SI1032R-T1-E3 Vishay/Siliconix SC-75A MOSFET 20V 0.2A
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 6 V,漏極連...
點擊查看SI1032R-T1-GE3參考圖片 SI1032R-T1-GE3 Vishay/Siliconix SC-75,SOT-416 23,359 MOSFET 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 6 V,漏極連...

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