Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI1563EDH-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 1.28/1.0 | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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SI1563EDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 1.28/1.0 | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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SI1865DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 1.8-8V 1.2A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，漏極連續電流：1.2 A，電... | ||||||
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SI1865DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 1.8-8V 1.2A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，漏極連續電流：1.2 A，電... | ||||||
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SI1867DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 1.8-8.0V w/Lvl-Shift | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，漏極連續電流：0.6 A，電... | ||||||
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SI1869DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：1.2 A，... | ||||||
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SI1869DH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：1.2 A，... | ||||||
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SI1900DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 30V 0.63A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1900DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 30V 0.63A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1901DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363 | MOSFET 20V 0.18A | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：- 180 ... | ||||||
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SI1902DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 0.70A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1902DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 0.70A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1903DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 0.44A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1903DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 0.44A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1905BDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 8.0V 0.63A 0.357W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極... | ||||||
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SI1905DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 8V 0.6A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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SI1905DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 8V 0.6A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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SI1906DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363 | MOSFET 20V 0.25A | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：250 mA，電... | ||||||
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SI1907DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 12V 0.56A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1907DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 12V 0.56A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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