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ZXTP2012GTA

廠家:
  Diodes Inc. / Zetex
封裝:
 SOT-223
數量:
 1334  
說明:
 兩極晶體管 - BJT 60V PNP Low Sat
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ZXTP2012GTA-SOT-223圖片

ZXTP2012GTA PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:1000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:3 W
直流電流增益 hFE 最大值:100
集電極連續電流:- 5.5 A
封裝形式:SOT-223
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:100 at 10 mA at 1 V, 100 at 2 A at 1 V, 45 at 5 A at 1 V, 10 at 10 A at 1 V
增益帶寬產品fT:120 MHz
最大直流電集電極電流:5.5 A
集電極—射極飽和電壓:- 60 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 60 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 100 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Diodes Inc.

以上是ZXTP2012GTA的詳細信息,包括ZXTP2012GTA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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