
點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:28.5 ns, 55 ns
工廠包裝數(shù)量:500
上升時(shí)間:3.3 ns, 5.8 ns
功率耗散:2.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:11 ns, 23 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.07 Ohms
漏極連續(xù)電流:5.1 A, - 4.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 60 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
以上是ZXMC6A09DN8TA的詳細(xì)信息,包括ZXMC6A09DN8TA廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!