中文參數如下:
包裝形式:Box
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:300 mW
直流電流增益 hFE 最大值:100 at 10 mA at 6V
封裝形式:E-Line
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:100 at 10 mA at 6 V, 20 at 100 uA at 6 V
增益帶寬產品fT:150 MHz
最大直流電集電極電流:0.5 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:35 V
集電極—基極電壓 VCBO:35 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Diodes Inc.
以上是ZTX502STZ的詳細信息,包括ZTX502STZ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!