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VP1008B

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-39
數量：
 6903  
說明：
 MOSFET 100V 5 OHM
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VP1008B-TO-39圖片

VP1008B PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數量：200
上升時間：30 ns
功率耗散：6.25 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：20 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-205AD
安裝風格：Stud
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：5 Ohms
漏極連續電流：0.79 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 100 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：過渡期間
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是VP1008B的詳細信息，包括VP1008B廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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