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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:20 ns
工廠包裝數量:200
上升時間:30 ns
功率耗散:6.25 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:20 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-205AD
安裝風格:Stud
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):5 Ohms
漏極連續電流:- 0.28 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:- 80 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是VP0808B的詳細信息,包括VP0808B廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!