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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):1W(Ta)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):150 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 2mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):20 歐姆 @ 100mA,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):160mA(Tj)
漏源電壓(Vdss):600 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:帶盒(TB)
品牌:Microchip Technology
以上是VN2460N3-G-P014的詳細信息,包括VN2460N3-G-P014廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!