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VMO650-01F

廠家：: Ixys
封裝：: Y3-DCB
數(shù)量：: 1892
說明：: MOSFET 650 Amps 100V

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VMO650-01F PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：800 ns
工廠包裝數(shù)量：2
上升時間：500 ns
功率耗散：2500 W
最小工作溫度：- 40 C
下降時間：200 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：Y3-DCB
安裝風格：Screw
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0018 Ohms
漏極連續(xù)電流：690 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是VMO650-01F的詳細信息，包括VMO650-01F廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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