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中文參數(shù)如下:
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:58 毫歐 @ 3A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:6A
Id 時的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:6nC @ 4V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :680pF @ 10V
功率 - 最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
以上是UPA1919TE-T1-AT的詳細信息,包括UPA1919TE-T1-AT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!