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UMW2N

廠家:
  ROHM Semiconductor
封裝:
 UMT
數(shù)量:
 3825  
說明:
 兩極晶體管 - BJT 60V 150mA 120 Min hFE
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UMW2N PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

包裝形式:Reel
最大功率耗散:300 mW
直流電流增益 hFE 最大值:120 at 1 mA at 6 V
封裝形式:UMT
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:120 at 1 mA at 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:180 MHz
最大直流電集電極電流:0.15 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:7 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V
集電極—基極電壓 VCBO:60 V
晶體管極性:NPN
配置:Dual
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:ROHM Semiconductor

以上是UMW2N的詳細(xì)信息,包括UMW2N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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