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中文參數如下:
上升時間:9 nS
功率耗散:45 W
柵極電荷 Qg:12 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :1.5 S
下降時間:4.5 S
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2.7 Ohms
漏極連續電流:3 A
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Taiwan Semiconductor
以上是TSM4ND50CP RO的詳細信息,包括TSM4ND50CP RO廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!