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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 ns
工廠包裝數(shù)量:150
上升時(shí)間:10 ns
功率耗散:504 mW
最小工作溫度:- 40 C
下降時(shí)間:10 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TSSOP-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):180 mOhms (Typ)
漏極連續(xù)電流:1.27 A
閘/源擊穿電壓:- 15 V, 2 V
汲極/源極擊穿電壓:15 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Texas Instruments
以上是TPS1100PWG4的詳細(xì)信息,包括TPS1100PWG4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!