中文參數如下:
典型關閉延遲時間:57 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:70 ns
功率耗散:30 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:41 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSSOP-ADV
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0095 Ohms
漏極連續電流:20 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPCM8001-H(TE12L,Q的詳細信息,包括TPCM8001-H(TE12L,Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!