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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:9 ns
工廠包裝數量:3000
功率耗散:0.57 W, 0.45 W
柵極電荷 Qg:25 nC
包裝形式:Reel
封裝形式:SOP-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):44 mOhms
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPC8211(TE12L,Q,M)的詳細信息,包括TPC8211(TE12L,Q,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!